在這個科技飛速發(fā)展的時代，人們對科技產(chǎn)品的自動化和網(wǎng)絡(luò)化需求越來越強烈。因此就要求科技產(chǎn)品擁有待機(jī)功能作為支持，但是即便是在待機(jī)模式之下，還依舊是消耗能源的，這就造成了一定程度上的能源浪費。所以當(dāng)務(wù)之急，是尋找一種提高工作效率和輕載能效，但又降低功耗的方法。

 

本篇文章將以反激式開關(guān)電源為例，通過幾個方面來提升輕載效率和降低待機(jī)功耗。

表1 輕載能耗標(biāo)準(zhǔn)

 

1、開關(guān)MOSFET的損耗通常可以分為導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、驅(qū)動損耗等。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下，原邊電流的峰值和有效值都會明顯降低，這時候的開關(guān)損耗是主導(dǎo)因素。而開關(guān)損耗與Vds電壓、開關(guān)頻率有著直接的關(guān)系。因此，減少MOSFET在輕載和空載時的損耗，可以通過使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻、間歇工作方式的芯片來實現(xiàn)；

 

2、使用具有HV啟動功能的芯片，這樣可以避免啟動電阻產(chǎn)生的損耗。另外，要選擇合適的X電容泄放電阻；

 

3、對反饋線路的優(yōu)化。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準(zhǔn)431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機(jī)功耗。當(dāng)然，同時也要考慮到對Dynamic的影響；

 

4、對吸收線路的優(yōu)化。傳統(tǒng)的RCD嵌位線路會造成比較大的損耗，相對而言，使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機(jī)功耗；

 

此外，使用ZFB比較大的芯片，以及優(yōu)化變壓器的設(shè)計也會起到一定的積極作用。

 

相信有些技術(shù)基礎(chǔ)的朋友已經(jīng)看出來了，想要在反激式開關(guān)電源當(dāng)中降低待機(jī)功耗并提高輕載能效，就需要對反激拓?fù)渚€路進(jìn)行細(xì)致的分析。揪出每一個產(chǎn)生損耗的源頭，逐一進(jìn)行分析。并從中總結(jié)出經(jīng)驗和知識，不斷豐富自身的設(shè)計知識。