Littelfuse將在2016年P(guān)CIM Europe上展示全新電源半導(dǎo)體系列
發(fā)布時(shí)間:2016-05-11 責(zé)任編輯:susan
【導(dǎo)讀】Littelfuse公司將出席2016年5月10-12日在德國紐倫堡舉行的2016年P(guān)CIM Europe展。該展會(huì)是展示電力電子領(lǐng)域最新發(fā)展的世界領(lǐng)先盛會(huì)之一。
本次展會(huì)上,公司將在7-140展臺(7廳)展示兩個(gè)全新的電源半導(dǎo)體系列:碳化硅(SiC)肖特基二極管和硅IGBT技術(shù)。
“今年,能夠展示電源半導(dǎo)體策略,Littelfuse深感振奮。 我們將繼續(xù)投資和發(fā)展產(chǎn)品組合,為市場帶來出色的功能。”Littelfuse高級副總裁、半導(dǎo)體產(chǎn)品總經(jīng)理兼首席技術(shù)官Ian Highly表示。 “Littelfuse能夠?qū)㈦娏﹄娮酉到y(tǒng)的典型要素——保護(hù)、控制、傳感,集成到一個(gè)系統(tǒng)中。 沒有其他任何技術(shù)供應(yīng)商能夠以同等的水平協(xié)調(diào)并集成電力系統(tǒng)的關(guān)鍵要素。”他補(bǔ)充道。
展臺演示
展臺內(nèi)將使用5kW降壓轉(zhuǎn)換器(如結(jié)構(gòu)圖中所示,額定輸入電壓為675V,額定輸出電壓為350V), 演示Monolith SiC MOSFET技術(shù)的功能。 這種轉(zhuǎn)換器可高頻率(~200kHz)切換,具有硅IGBT所無法達(dá)到的效率(>98%)。
2015年,Monolith與Littelfuse, Inc結(jié)成戰(zhàn)略伙伴關(guān)系,合作為工業(yè)和汽車市場研發(fā)SiC功率半導(dǎo)體。 Monolith的尖端SiC MOSFET技術(shù)可幫助在工業(yè)和汽車市場的廣泛應(yīng)用中顯著縮小系統(tǒng)尺寸和重量(因頻率提高)和降低能耗(因功率損耗降低)。
Monolith Semiconductor代表與電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師將在現(xiàn)場介紹有關(guān)Monolith SiC技術(shù)優(yōu)勢的更多信息及其如何有望徹底改變電力電子行業(yè)的格局。
保護(hù)和控制
Littelfuse展臺將展示下列市場應(yīng)用的解決方案:
• 數(shù)據(jù)通信電源 - 保護(hù)從智能手機(jī)到蜂窩基站的全球電信網(wǎng)絡(luò)
• 太陽能 - 高度可靠,并能保護(hù)惡劣環(huán)境中的光伏發(fā)電設(shè)備和系統(tǒng)
• 工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備 - 確保工業(yè)應(yīng)用電力的安全控制和分配
• 電動(dòng)汽車和混合電動(dòng)汽車:針對同步、頻率控制、負(fù)載共享和電源管理的保護(hù)和控制解決方案
新產(chǎn)品公告
• 除了展示多元化的產(chǎn)品解決方案組合外,Littelfuse還將推出全新LFUSCD系列碳化硅(SiC)肖特基二極管,并公布其IGBT模具技術(shù)
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