-
日本地震影響電子元件供應(yīng)與價(jià)格
日本地震與海嘯可能導(dǎo)致某些電子元件嚴(yán)重短缺，進(jìn)而推動(dòng)這些元件的價(jià)格大幅上漲。雖然目前幾乎沒(méi)有關(guān)于電子工廠實(shí)際損失的報(bào)道，但運(yùn)輸與電力設(shè)施受到破壞將導(dǎo)致供應(yīng)中斷，造成元件供應(yīng)短缺和價(jià)格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
-
F-RAM會(huì)帶來(lái)RFID標(biāo)簽的革命嗎？
目前市場(chǎng)上的存儲(chǔ)器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
-
2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級(jí)，將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。
2010-06-21
-
內(nèi)存晴雨表-NAND價(jià)格穩(wěn)定帶來(lái)正面環(huán)境
NAND價(jià)格持續(xù)透明，導(dǎo)致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對(duì)于2010年持有非常樂(lè)觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于NAND閃存的需求不斷增長(zhǎng)，也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需求已促使廠商逐步重新啟動(dòng)和重新裝備其閑置的工廠。
2010-04-02
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
- 10MHz高頻運(yùn)行！氮矽科技發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN芯片，助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%！力芯微推出超低內(nèi)阻、超低失真4PST模擬開(kāi)關(guān)
- 一“芯”雙電！圣邦微電子發(fā)布雙輸出電源芯片，簡(jiǎn)化AFE與音頻設(shè)計(jì)
- 一機(jī)適配萬(wàn)端：金升陽(yáng)推出1200W可編程電源，賦能高端裝備制造
- 激遇濟(jì)南 光鏈未來(lái) 2026濟(jì)南激光產(chǎn)業(yè)大會(huì)在濟(jì)南成功舉辦
- 聯(lián)通支付公司成功加入中國(guó)綠金委，成為理事單位
- 不停產(chǎn)、保觸控、低成本：遠(yuǎn)創(chuàng)智控直通型模塊助力化工老舊設(shè)備平滑升級(jí)
- 降本增效新標(biāo)桿：Neway如何以GaN技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心PUE降至1.08？
- 控成本、降風(fēng)險(xiǎn)：Arm Flexible Access訂閱方案升級(jí)，助力企業(yè)降低芯片研發(fā)投入
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
